2026飛納電鏡選型指南-智能顯微新時(shí)代，讓微觀世界觸手可及！

2026飛納電鏡選型

飛納（Phenom）源自 FEI，誕生于荷蘭“發(fā)明之城"埃因霍溫，以“任何人都可用的掃描電鏡"理念，現(xiàn)已發(fā)展成為臺(tái)式掃描電鏡領(lǐng)域的品牌。始終致力于讓掃描電鏡測(cè)試更簡(jiǎn)單、更高效，是飛納不變的初心。

2026 年，飛納電鏡迎來第七代產(chǎn)品革新，為中國(guó) 2500+ 用戶帶來更智能、更高效、更可靠的顯微分析體驗(yàn)。覆蓋數(shù)百所高校、中科院等科研院所、政府機(jī)構(gòu)，以及新能源、生命科學(xué)等多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。其應(yīng)用研究方向廣泛，涵蓋金屬與合金、電池、地質(zhì)與考古、高分子材料、靜電紡絲、陶瓷與復(fù)合材料、生物醫(yī)學(xué)、微生物等多個(gè)前沿與交叉學(xué)科。

同時(shí)，飛納電鏡支持拓展 EBL 功能，自主編程功能，原位拉伸/壓縮功能，原位加熱/冷凍功能，樣品真空轉(zhuǎn)移等，亦可進(jìn)行定制化。

制樣簡(jiǎn)單 無需噴金即可觀察不導(dǎo)電樣品

Part 01臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡采用防震設(shè)計(jì)，在緊湊的臺(tái)式機(jī)身上實(shí)現(xiàn)接近大型場(chǎng)發(fā)射電鏡的成像性能。其低電壓成像能力有效降低電子束對(duì)樣品的損傷與穿透，較大程度還原樣品的真實(shí)表面形貌。

在延續(xù)電鏡與能譜一體化設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)進(jìn)一步升級(jí)快速面掃描功能，可即時(shí)呈現(xiàn)元素分布；配合實(shí)時(shí)能譜分析，實(shí)現(xiàn)成分信息的同步獲取，顯著提升檢測(cè)效率與分析可靠性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

• 分辨率超高的臺(tái)式電鏡

• 可選 STEM 模式：BF、DF、HAADF 像

• 低電壓成像

• 電鏡能譜一體化設(shè)計(jì)

• 不受震動(dòng)、磁場(chǎng)等環(huán)境因素干擾

型號(hào)推薦

Pharos STEM 掃描透射電鏡

• 分辨率：優(yōu)于 1nm

• 成像模式：BF、DF、HAADF

Pharos G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

• 分辨率：優(yōu)于 1.5 nm

• 放大倍數(shù)：2,000,000 X

Nano G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

• 分辨率：優(yōu)于 2.5 nm

• 放大倍數(shù)：1,000,000 X

Part 02 CeB6 燈絲掃描電鏡

全新一代 CeB? 晶體燈絲掃描電鏡實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性能突破，將單根燈絲壽命提升至 3000 小時(shí)，使燈絲更換周期由平均 3 年延長(zhǎng)至約 5 年，顯著降低維護(hù)頻率與使用成本。

飛納電鏡采用臺(tái)式一體化設(shè)計(jì)，具備防震能力，對(duì)安裝環(huán)境要求低。操作流程高度簡(jiǎn)化，適配不同經(jīng)驗(yàn)層級(jí)的用戶，僅需約 30 分鐘培訓(xùn)即可獨(dú)立上手。同時(shí)，系統(tǒng)支持多種特色功能擴(kuò)展，滿足科研與工業(yè)應(yīng)用的多樣化需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 穩(wěn)定可靠：80  年技術(shù)傳承

• 采用 CeB 晶體燈絲：3000h 超長(zhǎng)使用壽命，平均 5 年換燈絲

• 自動(dòng)化與 AI 智能掃描電鏡

• 內(nèi)置減震系統(tǒng)，可直接放置于生產(chǎn)車間、高樓層 QC 實(shí)驗(yàn)室等

• 原廠集成能譜 EDS：從電子光學(xué)設(shè)置、圖像采集到能譜分析和面分布，都在同一個(gè)統(tǒng)一、直觀的界面中完成

• 低電壓成像功能：對(duì)于不導(dǎo)電、導(dǎo)電性差、以及電子束敏感樣品，不噴金，仍具有成像能力

型號(hào)推薦

Phenom XL G3 大倉室自動(dòng)化電鏡

發(fā)布的大倉室自動(dòng)化掃描電鏡 Phenom XL G3，以 3000 小時(shí)長(zhǎng)壽命 CeB? 晶體燈絲與全新 AI 智能自動(dòng)化平臺(tái)為核心，實(shí)現(xiàn)性能穩(wěn)定性與檢測(cè)效率的雙重躍升。Phenom XL 可對(duì)不超過 100x100mm 的樣品進(jìn)行分析，8nm 的分辨率為分析提供更多的細(xì)節(jié)。在保證高分辨率成像與元素分析能力的同時(shí)，大幅降低維護(hù)頻次與使用門檻，顯著提升設(shè)備稼動(dòng)率。

小倉型號(hào)推薦

Phenom ProX G7

• 放大倍數(shù)：350,000 X

• 分辨率：優(yōu)于 6 nm

• 探測(cè)器：BSD，SED（可選），EDS

Phenom Pro G7

• 放大倍數(shù)：350,000 X

• 分辨率：優(yōu)于 6 nm

• 探測(cè)器：BSD，SED（可選）

Phenom Pure G7

• 放大倍數(shù)：175,000 X

• 分辨率：優(yōu)于 10 nm

• 探測(cè)器：BSD，SED（可選）

Part 03AI 智能化掃描電鏡

Phenom AI 智能掃描電鏡，支持全流程自動(dòng)成像和自由編程（PPI）功能（適配所有飛納型號(hào)），為微觀世界的探索帶來了自由度和無限可能。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 機(jī)械手自動(dòng)上樣：無需人工，高一致性標(biāo)準(zhǔn)操作

• 全流程自動(dòng)成像與參數(shù)調(diào)節(jié)

• 數(shù)據(jù)數(shù)字化回傳

• 自由編程：打造私人訂制工作流

• 高穩(wěn)定性環(huán)境適應(yīng)能力

• 大幅提高工作效率

Part 04.ParticleX 全自動(dòng)掃描電鏡

ParticleX 基于掃描電鏡與能譜分析技術(shù)，融合自動(dòng)化控制系統(tǒng)與高性能數(shù)據(jù)庫平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)顆粒的全自動(dòng)識(shí)別、成分分析及分類統(tǒng)計(jì)。系統(tǒng)可在無人干預(yù)條件下完成從檢測(cè)到數(shù)據(jù)輸出的完整流程，為研發(fā)與生產(chǎn)過程提供快速、準(zhǔn)確且可追溯的定量數(shù)據(jù)支持，顯著提升分析效率與質(zhì)量管控水平。

型號(hào)推薦

ParticleX Battery 全自動(dòng)鋰電清潔度分析

• Cu、Zn 異物及鐵磁性異物檢測(cè)

ParticleX AC 全自動(dòng)汽車清潔度檢測(cè)

• 符合 ISO16232，VDA19 標(biāo)準(zhǔn)

• 全自動(dòng)檢測(cè) SiO，AlO等硬質(zhì)顆粒和成分

ParticleX Steel 全自動(dòng)鋼鐵夾雜物分析

• 一體化鋼中非金屬夾雜物分析

ParticleX 全自動(dòng)顆粒統(tǒng)計(jì)分析

• 顆粒分析及過程控制的工業(yè)級(jí)解決方案

Part 05 刑偵專用掃描電鏡

Diatom AI 自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)（電鏡）

DiatomAI™ 利用人工智能的技術(shù)，賦能法醫(yī)硅藻檢驗(yàn)系統(tǒng)，配合 DiatomScope™ ，實(shí)現(xiàn)了掃描和檢測(cè)的全自動(dòng)化。它是目前市面上可靠、高效、自動(dòng)化程度高的硅藻檢測(cè)解決方案，幫助法醫(yī)在檢測(cè)過程中實(shí)現(xiàn)硅藻的全自動(dòng)檢測(cè)，識(shí)別過程全程無需人工參與。大大縮短了檢測(cè)時(shí)間，提升工作效率。

Phenom GSR 槍擊殘留物分析

在槍擊事件中，槍擊殘留物（GSR）的分析發(fā)揮著重要的作用。GSR 分析技術(shù)首先基于掃描電子顯微鏡（SEM）的背散射成像，用來掃描樣品和發(fā)現(xiàn) “可疑" 的 GSR 顆粒。一旦發(fā)現(xiàn)可疑的顆粒，使用能譜（EDS）識(shí)別該顆粒的元素。常見的搜索元素為 Pb，Sb 和 Ba。無鉛底火的檢測(cè)，例如 Ti 和 Zn 也可作為搜索條件進(jìn)行搜索。

Part 06.原子力顯微鏡系列

1.Phenom AFM-in-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 相關(guān)多模態(tài)樣品分析：可將同位置的 AFM （三維形貌、電學(xué)、磁學(xué)等） 和 SEM （二維形貌、EDS等）數(shù)據(jù)無縫關(guān)聯(lián)。

• 原位樣品表征：在 SEM 內(nèi)部的原位條件下確保樣品分析同時(shí)、同地、同條件下進(jìn)行，在飛納電鏡內(nèi)部也能實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率。

• 精確定位感興趣區(qū)域：使用 SEM 導(dǎo)航 AFM 探針到感興趣區(qū)域，定位更精準(zhǔn)，且定位速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng) AFM。

2.LiteScope AFM-SEM 電鏡式原子力顯微鏡

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 使用 SEM 對(duì) AFM 探針進(jìn)行精準(zhǔn)定位，并實(shí)現(xiàn)高分辨成像

• 同一時(shí)間、同一位置和相同條件下獲取 AFM 和 SEM 數(shù)據(jù)，并無縫關(guān)聯(lián)

• 測(cè)量模式可涵蓋形貌、CPEM、KPFM、MFM、PFM、STM、EFM、C-AFM、I/V 特性、F/z 特性等，可選配納米壓痕

• 可兼容賽默飛世爾、TESCAN、蔡司、日立、日本電子等主流品牌，其他品牌亦可定制

3.icspi 原子力顯微鏡

icspi 是一家專注于掃描探針顯微技術(shù)的加拿大高科技公司，在原子力顯微鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)、探針控制與納米級(jí)表征技術(shù)方面擁有深厚的技術(shù)積累。其 AFM 產(chǎn)品以高穩(wěn)定性、高重復(fù)性及靈活的模塊化架構(gòu)著稱，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件表征、薄膜與納米材料研究、精密表面形貌分析等領(lǐng)域。

型號(hào)推薦

Redux AFM 全自動(dòng)桌面式原子力顯微鏡

• 臺(tái)式 AFM 的超快的數(shù)據(jù)獲取時(shí)間

• 自動(dòng)配置、接近和掃描

• 電動(dòng) XY 和 Z 平臺(tái)，可輕松定位樣品

• 集成光學(xué)顯微鏡

• 易于使用、耐用的 AFM 芯片

nGauge AFM 便攜式原子力顯微鏡

• 從樣品加載到獲得 3D 納米級(jí)數(shù)據(jù)，只需不到三分鐘

• 一鍵式自動(dòng)操作，幾秒鐘內(nèi)即可將探針對(duì)準(zhǔn)樣品

• 每個(gè)芯片都能進(jìn)行 1000 次以上的掃描而無明顯磨損

• 維護(hù)成本低，操作簡(jiǎn)便

Part 07.SEM 樣品制備-離子研磨儀

SEMPREP SMART 配備了高能量和可選的低能量氬離子槍。用于掃描電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）樣品的最終加工和清潔。離子加工可以改進(jìn)和清潔機(jī)械拋光的 SEM 樣品，并為 EBSD 分析制備無損表面。該設(shè)備還適用于快速截面加工。為您制備高精度和高質(zhì)量的樣品，例如在半導(dǎo)體測(cè)試或鋰離子電池隔膜的截面檢查中均能實(shí)現(xiàn)出色的效果。

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 氬離子束無應(yīng)力處理樣品

• 定位精準(zhǔn)：可實(shí)現(xiàn) ±1 微米

• 離子槍能量：0-16kV

• 超大樣品腔室：可容納直徑 50mm 樣品

• 制冷設(shè)計(jì)：液氮 LN 制冷

• 可選配真空轉(zhuǎn)移功能

應(yīng)用案例｜電子器件失效分析

在對(duì)焊接部位的焊接情況進(jìn)行分析時(shí)，需要觀測(cè)該部位剖面的合金相分布情況，此時(shí)需要用到截面切削的制樣設(shè)備--離子研磨儀，進(jìn)行無應(yīng)力樣品切削制備后，使用飛納電鏡進(jìn)一步分析焊接情況。

進(jìn)一步結(jié)合 EDS 能譜面掃分析可知：銀-錫膏和銅面結(jié)合，界面有銅-錫為主合金化晶粒生長(zhǎng)，銅引腳有鍍鎳層，并在內(nèi)部發(fā)現(xiàn)有大量的鐵富集相夾雜，近銅界面發(fā)現(xiàn)有氣孔存在。

焊錫截面 EDS 能譜面掃結(jié)果

使用 SEMPREP SMART 處理后的 SEM 圖：

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